英特爾詳解 Intel 3 製程：應(yīng)用更多 EUV 微影，同功耗頻率提升至多 18%
Jun 19, 2024 pm 10:53 PM
本站 6 月 19 日訊息，作為 2024 IEEE VLSI 研討會活動的一部分，英特爾近日在官網(wǎng)介紹了 Intel 3 製程節(jié)點的技術(shù)細(xì)節(jié)。
Intel公司最新一代FinFET晶體管技術(shù)為英特爾最新一代FinFET晶體管技術(shù)，與Intel 4相比增加了使用EUV的步驟，同時也將是一個長期提供代工服務(wù)的節(jié)點家族，包含基礎(chǔ)Intel 3和三個變體節(jié)點。
其中，Intel 3-E 原生支援1.2V 高電壓，適合類比模組的製造；而未來的Intel 3-PT 進(jìn)一步提升了整體性能，並支援更精細(xì)的9μm 間距TSV 和混合鍵合。
英特爾宣稱，作為其“終極?FinFET 工藝”，Intel 3-PT 將在未來多年成為主流選擇，與埃米級工藝節(jié)點一同被內(nèi)部和外部代工客戶使用。
Intel4製程比較僅包含240nm高效能庫（本站註：HP庫）的Intel3引入了210nm的高密度（HD）庫，在電晶體管性能取向上提供更多可能性。
英特爾表示，其基礎(chǔ)Intel 3 製程在採用高密度庫的情況下，可相較Intel 4 製程至多可提升18% 頻率。
此外英特爾也宣稱基礎(chǔ)版 Intel 3 製程密度也增加了 10%，實現(xiàn)了「全節(jié)點」等級的提升。
而在電晶體上的金屬佈線層部分，Intel 3 在Intel 4 的14+2 層外也提供了12+ 2 和19+2 兩種新選項，分別針對低成本和高效能用途。
具體到每個金屬層而言，英特爾在Intel 3 的M0 和M1 等關(guān)鍵層上保持了與Intel 4 相同的間距，主要是將M2 和M4 的間距從45nm 降低至42nm。
以上是英特爾詳解 Intel 3 製程：應(yīng)用更多 EUV 微影，同功耗頻率提升至多 18%的詳細(xì)內(nèi)容。更多資訊請關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章！
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