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未來(lái)記憶體和儲(chǔ)存高峰會(huì)(Future Memory and Storage)簡(jiǎn)介
新產(chǎn)品
SK hynix HBM 製程整合主管Unoh Kwon 和SSD PMO 主管Chunsung Kim 將在活動(dòng)開幕式上發(fā)表題為《人工智慧時(shí)代的AI 記憶體和人工智慧解決方案領(lǐng)導(dǎo)與願(yuàn)景》的主題演講。
首頁(yè) 硬體教學(xué) 硬體新聞 SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

Aug 01, 2024 pm 09:40 PM
人工智慧 海力士

本站8 月1 日消息,SK 海力士今天(8 月1 日)發(fā)布博文,宣布將出席8 月6 日至8 日,在美國(guó)加利福尼亞州聖克拉拉舉行的全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器峰會(huì)FMS 2024,展示諸多新一代產(chǎn)品。

未來(lái)記憶體和儲(chǔ)存高峰會(huì)(Future Memory and Storage)簡(jiǎn)介

前身是主要面向NAND 供應(yīng)商的快閃記憶體峰會(huì)(Flash Memory Summit),在人工智慧技術(shù)日益受到關(guān)注的背景下,今年重新命名為未來(lái)記憶體和儲(chǔ)存高峰會(huì)(Future Memory and Storage),以邀請(qǐng)DRAM 和儲(chǔ)存供應(yīng)商等更多參與者。

新產(chǎn)品

SK 海力士去年在FMS 活動(dòng)中宣布開發(fā)出業(yè)界最高的321 層NAND,今年也將展示諸多AI 領(lǐng)域的新產(chǎn)品,包括12 層HBM3E(預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn))和321 -high NAND(明年上半年開始出貨)。本站附上SK海力士即將展示的新產(chǎn)品如下:

SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

從左上開始,順時(shí)針依次為321 層NAND 閃存、ZUFS 4.0、PS1010 和PCB01

SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等。為L(zhǎng)PDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和GDDR6-AiM

演講

SK hynix HBM 製程整合主管Unoh Kwon 和SSD PMO 主管Chunsung Kim 將在活動(dòng)開幕式上發(fā)表題為《人工智慧時(shí)代的AI 記憶體和人工智慧解決方案領(lǐng)導(dǎo)與願(yuàn)景》的主題演講。

兩位主管將分別介紹公司的 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品組合,以及為實(shí)現(xiàn)人工智慧而優(yōu)化的人工智慧記憶體解決方案。

以上是SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關(guān)新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等的詳細(xì)內(nèi)容。更多資訊請(qǐng)關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章!

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