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未來存儲器和存儲峰會(Future Memory and Storage)簡介
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SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

Aug 01, 2024 pm 09:40 PM
人工智能 海力士

本站 8 月 1 日消息,SK 海力士今天(8 月 1 日)發(fā)布博文,宣布將出席 8 月 6 日至 8 日,在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行的全球半導體存儲器峰會 FMS 2024,展示諸多新一代產品。

未來存儲器和存儲峰會(Future Memory and Storage)簡介

前身是主要面向 NAND 供應商的閃存峰會(Flash Memory Summit),在人工智能技術日益受到關注的背景下,今年重新命名為未來存儲器和存儲峰會(Future Memory and Storage),以邀請 DRAM 和存儲供應商等更多參與者。

新產品

SK 海力士去年在 FMS 活動中宣布開發(fā)出業(yè)界最高的 321 層 NAND,今年也將展示諸多 AI 領域的新產品,包括 12 層 HBM3E(預計在第三季度量產)和 321-high NAND(明年上半年開始出貨)。本站附上 SK海力士即將展示的新產品如下:

SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

從左上開始,順時針依次為 321 層 NAND 閃存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等

從左上開始,順時針依次為 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM

演講

SK hynix HBM 工藝集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 將在活動開幕式上發(fā)表題為《人工智能時代的 AI 內存和存儲解決方案領導力與愿景》的主題演講。

兩位高管將分別介紹公司的 DRAM 和 NAND 產品組合,以及為實現(xiàn)人工智能而優(yōu)化的人工智能內存解決方案。

以上是SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關新品:12 層 HBM3E、321-high NAND 等的詳細內容。更多信息請關注PHP中文網其他相關文章!

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