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Heim Technologie-Peripherieger?te IT Industrie Intel erkl?rt ausführlich den Intel 3-Prozess: Anwendung von mehr EUV-Lithographie, wodurch die H?ufigkeit des gleichen Stromverbrauchs um bis zu 18 % erh?ht wird

Intel erkl?rt ausführlich den Intel 3-Prozess: Anwendung von mehr EUV-Lithographie, wodurch die H?ufigkeit des gleichen Stromverbrauchs um bis zu 18 % erh?ht wird

Jun 19, 2024 pm 10:53 PM
Intel Erweiterter Prozess Intel 3

Diese Seite berichtete am 19. Juni, dass Intel im Rahmen des IEEE VLSI Symposiums 2024 kürzlich die technischen Details des Intel 3-Prozessknotens auf seiner offiziellen Website vorgestellt hat.

Intels neueste Generation der FinFET-Transistortechnologie ist im Vergleich zu Intel 4 zus?tzliche Schritte zur Verwendung von EUV. Es wird auch eine Knotenfamilie sein, die lange Zeit Foundry-Dienste bereitstellt, einschlie?lich grundlegender Intel 3 und drei Variantenknoten.

英特爾詳解 Intel 3 工藝:應(yīng)用更多 EUV 光刻,同功耗頻率提升至多 18%

Unter diesen unterstützt Intel 3-E nativ eine Hochspannung von 1,2 V, was für die Herstellung analoger Module geeignet ist, w?hrend der zukünftige Intel 3-PT die Gesamtleistung weiter verbessern und einen feineren TSV mit 9 μm unterstützen wird und Hybridschlüssel kombinieren.

Intel behauptet, dass Intel 3-PT als sein ?ultimativer FinFET-Prozess“ noch viele Jahre lang die Mainstream-Wahl sein wird, das von internen und externen Foundry-Kunden zusammen mit Prozessknoten auf Angstr?m-Ebene verwendet wird.

Im Vergleich zu Intel3, das nur 240-nm-Hochleistungsbibliotheken enth?lt (Hinweis auf dieser Website: HP-Bibliotheken), führt der Intel4-Prozess 210-nm-Hochleistungsbibliotheken (HD) ein, die mehr M?glichkeiten bei der Ausrichtung der Transistorleistung bieten.

英特爾詳解 Intel 3 工藝:應(yīng)用更多 EUV 光刻,同功耗頻率提升至多 18%

Intel gab an, dass sein grundlegender Intel 3-Prozess die Frequenz um bis zu 18 % im Vergleich zum Intel 4-Prozess erh?hen kann, wenn Bibliotheken mit hoher Dichte verwendet werden.

Darüber hinaus behauptet Intel auch, dass die Prozessdichte der Basisversion von Intel 3 ebenfalls um 10 % gestiegen ist

und damit eine Verbesserung auf das ?Full Node“-Niveau erreicht wurde.

英特爾詳解 Intel 3 工藝:應(yīng)用更多 EUV 光刻,同功耗頻率提升至多 18%
Was die Metallverdrahtungsschicht auf dem Transistor betrifft, Intel 3 bietet zus?tzlich zur 14+2-Schicht von Intel 4

auch zwei neue Optionen, 12+2 und 19+2, die auf niedrige Kosten und Hochleistungsnutzung.

英特爾詳解 Intel 3 工藝:應(yīng)用更多 EUV 光刻,同功耗頻率提升至多 18%
Insbesondere für jede Metallschicht hat Intel auf Schlüsselschichten wie M0 und M1 von Intel 3 den gleichen Abstand wie Intel 4 beibehalten und haupts?chlich den Abstand von M2 und M4 von 45 nm auf 42 nm reduziert.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonIntel erkl?rt ausführlich den Intel 3-Prozess: Anwendung von mehr EUV-Lithographie, wodurch die H?ufigkeit des gleichen Stromverbrauchs um bis zu 18 % erh?ht wird. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

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Intel erkl?rt ausführlich den Intel 3-Prozess: Anwendung von mehr EUV-Lithographie, wodurch die H?ufigkeit des gleichen Stromverbrauchs um bis zu 18 % erh?ht wird Intel erkl?rt ausführlich den Intel 3-Prozess: Anwendung von mehr EUV-Lithographie, wodurch die H?ufigkeit des gleichen Stromverbrauchs um bis zu 18 % erh?ht wird Jun 19, 2024 pm 10:53 PM

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