英特爾詳解 Intel 3 工藝：應(yīng)用更多 EUV 光刻，同功耗頻率提升至多 18%
Jun 19, 2024 pm 10:53 PM
本站 6 月 19 日消息，作為 2024 IEEE VLSI 研討會(huì)活動(dòng)的一部分，英特爾近日在官網(wǎng)介紹了 Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)細(xì)節(jié)。
Intel公司最新一代FinFET晶體管技術(shù)為英特爾最新一代FinFET晶體管技術(shù)，與Intel 4相比增加了使用EUV的步驟，同時(shí)也將是一個(gè)長(zhǎng)期提供代工服務(wù)的節(jié)點(diǎn)家族，包含基礎(chǔ)Intel 3和三個(gè)變體節(jié)點(diǎn)。
其中，Intel 3-E 原生支持 1.2V 高電壓，適合模擬模塊的制造；而未來(lái)的 Intel 3-PT 進(jìn)一步提升了整體性能，并支持更精細(xì)的 9μm 間距 TSV 和混合鍵合。
英特爾宣稱(chēng)，作為其“終極?FinFET 工藝”，Intel 3-PT 將在未來(lái)多年成為主流選擇，與埃米級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)一同被內(nèi)外部代工客戶(hù)使用。
Intel4工藝相比僅包含240nm高性能庫(kù)（本站注：HP庫(kù)）的Intel3引入了210nm的高密度（HD）庫(kù)，在晶體管管性能取向上提供更多可能性。
英特爾表示，其基礎(chǔ) Intel 3 工藝在采用高密度庫(kù)的情況下，可相較 Intel 4 工藝至多可提升 18% 頻率。
此外英特爾還宣稱(chēng)基礎(chǔ)版 Intel 3 工藝密度也增加了 10%，實(shí)現(xiàn)了“全節(jié)點(diǎn)”級(jí)別的提升。
而在晶體管上的金屬布線層部分，Intel 3 在 Intel 4 的 14+2 層外還提供了 12+2 和 19+2 兩種新選項(xiàng)，分別面向低成本和高性能用途。
具體到每個(gè)金屬層而言，英特爾在 Intel 3 的 M0 和 M1 等關(guān)鍵層上保持了與 Intel 4 相同的間距，主要是將 M2 和 M4 的間距從 45nm 降低至 42nm。
以上是英特爾詳解 Intel 3 工藝：應(yīng)用更多 EUV 光刻，同功耗頻率提升至多 18%的詳細(xì)內(nèi)容。更多信息請(qǐng)關(guān)注PHP中文網(wǎng)其他相關(guān)文章！
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